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安森美半导体的SuperFET® III MOSFET助您实现卓越性能

发布时间:2019年04月30日 10:04    发布者:ningxueqin
  SuperFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超级结 (SJ) MOSFET系列产品,采用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。
  这项先进技术可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,同时还可承受极端的电压变化率大发快3。
  因此,SuperFET III MOSFET非常适合各种电源系统,能够实现小型化和更高能效。SuperFET III 中的FRFET 系列,MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化,无需额外器件,同时提高系统可靠性。
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  应用
  服务器和通信电源
  电动汽车(EV)充电站
  太阳能/不间断电源(UPS)
  LED照明
  特性
  LLC和相移全桥电路中的系统可靠性更高
  低温运行时系统可靠性更高
  大发快3出色的体二极管性能(牢固的体二极管)
  更低的Vds峰值以及更低的Vgs振荡
 大发快3 低有效输出电容
  更低的开关损耗和导通损耗
  100%雪崩测大发快3试
  除了超级结MOSFET,安森美半导体还提供一系列全面的标准MOSFET。这一覆盖率使得安森美半导体能够直接与所有电压和封装企业竞争。
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